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激光測距探測器(InGaAs APD)

激光測距探測器(InGaAs APD)包含脈沖探測器及處理電路,具有超高水平。與PIN光電二極管相比,此款探測器對激光脈沖能量的要求降低了20倍,與其他普通APD產(chǎn)品相比,此款探測器對激光脈沖能量的要求降低5倍。
產(chǎn)品時間:2020-04-21
訪問量:1532

激光測距探測器(InGaAs APD)

      激光測距探測器(InGaAs APD)包含脈沖探測器及處理電路,具有超高水平。與PIN光電二極管相比,此款探測器對激光脈沖能量的要求降低了20倍,與其他普通APD產(chǎn)品相比,此款探測器對激光脈沖能量的要求降低5倍。

產(chǎn)品特點:

①高增益低噪聲InGaAs APD探測器
②響應波段950~1700nm
③噪聲等效功率< 0.2 nW (1534-nm; 20-ns pulse)
④動態(tài)范圍:70dB
⑤可編程閾值(Time-variable Threshold/TVT)
⑥平均*時間85000小時
⑦抗震:可以用于機瞄及其他極限環(huán)境

產(chǎn)品參數(shù):

 

Model (APD)

RUC1-JIAC

RUC1-NIAC

RUC1-KIAC

Spectral response

950 nm – 1700 nm

Optical collection-area diameter

75μm

200μm

250μm

APD diameter

75μm

200μm

75μm

Noise equivalent input (NEI)

40 photons

45 photons

40 photons

Photon equivalent sensitivity

245photons

290 photons

245 photons

Noise equivalent power

0.20 nW

0.45 nW

0.20 nW

Range precision

50 mm

60 mm

50 mm

Target pair resolution

5 meters

5 meters

5 meters

Bandwidth

31 MHz

17 MHz

31 MHz

APD gain (M)

1 – 20

1 – 20

1 – 20

APD responsivity (M = 1)

1.1 A/W

1.1 A/W

1.1 A/W

APD excess noise (M = 10)

3.5

3.5

3.5

Maximum instantaneous optical power

6 MW/cm2

Environmental

Operating temperature

-50 °C to +85 °C

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